英特尔大连厂采用65纳米工艺获美国政府批准

2007年9月8日英特尔大连工厂奠基

英特尔大连工厂的总经理Kirby Jefferson于2月26日在上海表示，大连厂采用65纳米的生产工艺已经获得美国政府批准，但最终采用90纳米还是65纳米还未确定。

　　美国政府的审批是英特尔大连工厂是否采用65纳米制程工艺的前提条件之一。但是由于目前工厂还在基础建设阶段，英特尔尚且无法确定到2010年工厂落成时的具体工艺。

　　2007年3月份，英特尔宣称将在中国大连投资设厂，该厂也是英特尔在亚洲的第一个芯片生产厂。当时英特尔曾表示该工厂将会于2010年投产并将采用90纳米生产工艺。

　　Jefferson表示，美国政府已经批准英特尔大连厂采用65纳米生产工艺，所以英特尔也正考虑大连厂是否要采用65纳米这一更先进的工艺，但最终的情况要根据市场需求而定。目前英特尔投向市场的最先进的量产工艺是45纳米。

　　英特尔的大连工厂已于2007年9月份破土动工，该工厂的占地面积将达到16.3万平方米，其无尘室面积为1.5万平方米