日本松下和瑞萨将联合开发最尖端半导体

松下电器产业公司和瑞萨科技公司将联合开发新一代大规模集成电路（LSI）制造技术，以降低开发费用，提高竞争力。

在新一代LSI制造技术方面，日本国内逐步形成两大阵营竞争的格局。东芝、NEC、富士通三家公司正在商讨联合开发事宜。松下和瑞萨加紧合作目的就在于同上述三家公司抗衡。

松下和瑞萨联合开发的是32纳米半导体制造工艺，最早将在2010年前后实现批量生产。这两家公司将在2007年年内正式达成协议，共同分担数百亿日元的开发费用，用两年左右时间完成开发，并在该技术基础上进入批量生产的准备阶段。